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英特尔发布了该公司迄今为止最详细的工艺制程和封装技术路线图,并展示了2025年及以后驱动产品的基础技术

发布时间:2021/07/27 科技 浏览:263

据报道,英特尔(INTC.US)最近发布了该公司迄今为止最详细的工艺制程和封装技术路线图,并展示了2025年及以后驱动产品的基础技术。该公司正升级其半导体工艺节点的名称(比如英特尔7纳米工艺节点将直接命名为“英特尔7”),以形成清晰且一致的框架,使客户更准确地了解整个行业的工艺节点。

在发布会上英特尔表示,英特尔7将成为10纳米增强型SuperFin工艺节点的新名称,它的每瓦特性能比10纳米SuperFin提高了10-15%。据悉,英特尔7将在2021年第二季度面向客户的AlderLake和最近推迟的数据中心解决方案SapphireRapids等产品中亮相,该解决方案将于明年初投产。

英特尔4将成为下一个工艺节点,英特尔4工艺将是英特尔第一个全面使用先进的极紫外(EUV)光刻技术的工艺制程。英特尔4将于2022年下半年投产,正式产品将于2023年发货,包括面向客户的MeteorLake和面向数据中心的GraniteRapids。

英特尔3将紧随其后,每瓦特性能比英特尔4提高18%,预计将在2023年下半年为生产英特尔3做好准备。

英特尔还宣布了两项新的工艺技术:RibbonFET以及PowerVia,前者是该公司十多年来的首个新型晶体管架构,后者是一种新的背面功率传输方法。这些技术属于英特尔20A工艺节点,预计将在2024年逐步普及。英特尔正目前在与高通(QCOM.US)合作20A工艺制程。

到2025年及以后,英特尔18A将在2025年初开发,并对RibbonFET进行升级改造。英特尔还将与极紫外(EUV)光刻机供应商阿斯麦(ASML.US)密切合作,共同定义、开发和部署下一代EUV光刻系统。

对于英特尔代工服务方面的业务,英特尔宣布亚马逊(AMZN.US)旗下AWS将成为第一个使用IFS封装解决方案的客户。

据悉,英特尔上周曾表示,随着产品的不断增加,7纳米工艺正蓄势待发,但成本端压力仍然很大,再加上全球芯片短缺且产能有限,这将在2021年下半年压低英特尔的毛利率。

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